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中芯国际披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%

2020-06-10 11:04 中国新闻资讯 点击次数 :

  

(原标题:中芯国际披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%)

  2019年,中芯国际量产了国内最先进的14nm工艺制程,并已为华为麒麟710A处理器等进行代工。目前,中芯国际正在回归A股上市,计划募资200亿元,主要就是投入14nm等先进工艺的开发。

  6月7日晚间,中芯国际在上交所公布了对第一轮审核问询函的回复,仅用4天,创造了一个新纪录,而在六大类、29个问题中,最引人关注的当属对于新工艺细节的披露。

  中芯国际表示,14nm晶圆代工产能正处于初期布局阶段,因此全球份额相对较低,不过第一代14nm FinFET技术已进入量产阶段,而且技术上处于国际领先水平,且具有一定的性价比,目前已同众多客户开展合作,预测产能利用率可以稳定保持在较高水平。

  中芯国际透露,利用其先进FinFET技术在晶圆上所制成的芯片,已应用于智能手机领域。虽未进一步明确,但显然指的就是华为麒麟710A。

  在下一代技术节点的开发上,全球纯晶圆代工厂仅剩台积电、中芯国际两家,第二代FinFET技术目前已进入客户导入阶段,与第一代对比有望在性能上提高约20% ,功耗降低约60%。

  中芯国际表示,14nm及以下先进工艺主要应用于5G 、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域,未来发展前景广阔,而随着相关应用领域持续发展,先进工艺的市场需求将持续上升,市场份额将不断扩大,成为集成电路晶圆代工市场新的增长点。

  根据招股书披露,中芯国际本次计划发行不超过16。86亿股新股,预计募资200亿元人民币,计划分别投入中芯南方正在进行的12英寸芯片SN1项目(80亿元)、先进及成熟工艺研发项目储备资金(40亿元)、补充流动资金(80亿元)。

  其中,12英寸芯片SN1项目是中国大陆第一条14nm及以下先进工艺生产线,规划月产能为3。5万片晶圆,目前已建成月产能6000片。

  本次问询中,中芯国际又对募集资金投资项目的风险进行了补充披露:12英寸芯片SN1项目的总投资额为90。59亿元美元,其中生产设备购置及安装费达733016万美元。

  SN1项目达产后将会贡献额外的先进制程收入,但同时带来较高的折旧成本压力。 随着14纳米及下一代制程的产线投产、扩产, 公司一定时期内会面临较大的折旧压力,该部分业务毛利率可能会低于公司平均水平,存在经济效益不达预期,甚至产生较大额度亏损的风险。

  此外,中芯国际还对研发费用率远高于同行的原因及合理性进行了说明。数据显示,2019年台积电、中芯国际、联华电子、华虹半导体的研发费用分别为211亿元、47亿元、27亿元、4亿元,相应占营收比重分别为9%、22%、8%、7%。

  中芯国际表示,为加强在先进制程方面的技术实力,公司不断加大先进制程的研发投入,相继实现了28nm HKC+工艺、第一代14nm FinFET工艺的研发和量产,第二代14nm FinFET工艺的研发也在稳健进行中,并不断拓展成熟工艺应用平台,因此公司研发费用率高于可比上市公司。

  

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(责任编辑:wangshuaigang)
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